東莞五金電池片的光生伏打原理與電性能參數(shù)

東莞五金電池片的光生伏打原理與電性能參數(shù)

五金電池片

電池片可分為單晶硅電池片和多晶硅單電池片。單晶硅電池的轉(zhuǎn)換率高于多晶硅電池2-3%，多晶硅電池的弱光性好于單晶單晶太陽(yáng)能電池規(guī)格：156×156±
規(guī)格：156×156±0.5mm
對(duì)角線：202±1.0mm
硅片的厚度：220±20um
正面：有藍(lán)色氮化硅反射膜，銀匯流帶（寬有1.8、1.6、正面：有藍(lán)色氮化硅反射膜，銀匯流帶（寬有1.8、1.6、2毫米規(guī)格寬）
背面：全部由鋁背場(chǎng)覆蓋，有4毫米寬的銀鋁焊線

鋁背場(chǎng)
定義：為了改善硅太陽(yáng)電池的效率，在p-n結(jié)制備完成后，往往在硅片的背面即背光面，沉積一層鋁膜，制備P+層，稱為鋁背場(chǎng)。
作用：減少少數(shù)載流子在背面復(fù)合的概率。也可以作為背面的金屬電極，還有可以擴(kuò)散吸雜作用，與磷擴(kuò)散吸雜不同，鋁吸雜在相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行。其中體缺陷也參與了雜質(zhì)的溶解和沉積，而在較高溫度下，沉積的雜質(zhì)易于溶解進(jìn)入硅中，對(duì)Mc—Si產(chǎn)生不利的影響。
制備方法：最簡(jiǎn)單的方法是利用濺射等技術(shù)在硅片背面沉制備方法：最簡(jiǎn)單的方法是利用濺射等技術(shù)在硅片背面沉積一層鋁膜，然后再800～1000℃積一層鋁膜，然后再800～1000℃熱處理，使鋁膜和硅合金化并內(nèi)擴(kuò)散，形成一層高鋁濃度摻雜的P+層，構(gòu)成鋁背金化并內(nèi)擴(kuò)散，形成一層高鋁濃度摻雜的P+層，構(gòu)成鋁背場(chǎng)。

五金電池片光生伏打原理
當(dāng)光線照射太陽(yáng)電池表面時(shí)，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了越遷，成為自由電子在P-N結(jié)兩側(cè)集聚形成了電位差，當(dāng)外部接通電路時(shí)，在該電壓的作用下，將會(huì)有電流流過(guò)外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個(gè)過(guò)程的的實(shí)質(zhì)是：光子能量轉(zhuǎn)換成電能的過(guò)程。

進(jìn)料檢測(cè)
外觀：表面無(wú)污，氮化硅膜色勻
柵線均勻?qū)ΨQ排布，無(wú)氧化及外觀缺陷脫落
片子無(wú)隱裂、V型角、劃痕，U型口應(yīng)不大于1×2mm2
電池片翹曲度，單晶硅125×125cell≤1.0mm
多晶硅156多晶硅156×156cell≤1.8mm

廣州電池片電性能參數(shù)
太陽(yáng)能電池效率η
太陽(yáng)能電池的填充因子FF=Vm*Im/Voc*Isc
短路電流Isc，當(dāng)V=0時(shí)，電流達(dá)到的最大值
開路電壓Voc，當(dāng)I=0時(shí)，電壓達(dá)到的最大值
在I=Isc，V=0及V=Voc，I=0處，其功率值P=0,最大功率Pm=VmIm，實(shí)際功率達(dá)不到Pm

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